DS1230W-150和DS1230W-150-IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230W-150 DS1230W-150-IND DS1230W-100+

描述 IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIPNon-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230W-100+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP-28 DIP DIP-28

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP-28 DIP DIP-28

长度 39.12 mm - -

宽度 18.29 mm - -

高度 9.4 mm - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Bulk - Each

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.00V (min)

针脚数 - - 28

存取时间 150 ns - 100 ns

内存容量 256000 B - 32000 B

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

时钟频率 150 GHz - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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