对比图
型号 SD1446 VLB70-12F MS1253
描述 射频与微波晶体管高频/甚高频应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF/VHF APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, FM-4RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, PLASTIC, M113, 4 PIN
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor Advanced Power Technology
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 4 - -
封装 M-113 - -
额定电压(DC) 36.0 V - -
额定电流 12.0 A - -
极性 NPN - -
输出功率 70.0 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 18 V - -
增益 10 dB - -
最小电流放大倍数(hFE) 10 @5A, 5V - -
额定功率(Max) 183 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 183000 mW - -
封装 M-113 - -
工作温度 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tray - -
RoHS标准 RoHS Compliant - -
含铅标准 Lead Free - -