IS42SM32100C-6BLI和IS42SM32100D-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM32100C-6BLI IS42SM32100D-6BLI IS42VM32100C-6BLI

描述 IC SDRAM 32Mbit 166MHz 54BGA32m, 3.3V, Mobile Sdram, 1mx32, 166MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, ItDRAM 32M, 1.8V, Mobile SDRAM, 1Mx32, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-54 BGA-54 BGA-90

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 90 90

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

存取时间 - 5.5 ns 5.5 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) - - 1.95 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

位数 - 32 -

存取时间(Max) - 6 ns -

封装 TFBGA-54 BGA-54 BGA-90

长度 - - 13 mm

宽度 - - 8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -

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