JANTX1N5712-1和JANTX1N5712UR-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5712-1 JANTX1N5712UR-1 BAT42

描述 每肖特基二极管合格MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五百 Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODESSTMICROELECTRONICS  BAT42  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-213AA DO-35

正向电压 1 V 1V @35mA 1V @200mA

正向电流 75 mA 75 mA 200 mA

正向电流(Max) 75 mA 75 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压(Max) - 1V @35mA 400 mV

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 200 mA

电容 - - 7.00 pF

输出电流 - - ≤200 mA

负载电流 - - 0.2 A

针脚数 - - 2

极性 - - Standard

耗散功率 - - 200 mW

热阻 - - 300℃/W (RθJA)

反向恢复时间 - - 5 ns

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 4 A

工作结温(Max) - - 125 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

封装 DO-35 DO-213AA DO-35

长度 - - 4.5 mm

宽度 - - 2 mm

高度 - - 2 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 3A001.a.1.c - EAR99

工作温度 - - -65℃ ~ 125℃

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