IMD3AT108和IMD3AT148

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IMD3AT108 IMD3AT148 IMD3AT109

描述 IMD3A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - SC-74Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SC-74, 6 PINSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SC-74-6 SC-74 -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 6 - -

封装 SC-74-6 SC-74 -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.2 mm - -

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

额定功率 0.3 W - -

通道数 2 - -

极性 NPN, PNP - -

耗散功率 300 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V - -

最大电流放大倍数(hFE) 30 - -

额定功率(Max) 300 mW - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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