SI1025X-T1-E3和SI1025X-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1025X-T1-E3 SI1025X-T1-GE3 SI1025X

描述 Dual P-Channel 60V 4Ω Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-89-6Si1025X Series P-Channel 60V 4Ω 0.25W(1/4W) Surface Mount Power Mosfet - SC-89Transistor,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SC-89-6 SC-89-6 -

漏源极电阻 4.00 Ω - -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 250 mW 250 mW -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 -60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 500 mA -500 mA -

输入电容(Ciss) 23pF @25V(Vds) 23pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SC-89-6 SC-89-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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