对比图
型号 CY7C1150KV18-400BZC CY7C1170KV18-400BZC CY7C1170KV18-400BZXC
描述 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 165 165
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 - 36 36
存取时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - - 1.9 V
电源电压(Min) - - 1.7 V
供电电流 - 640 mA -
时钟频率 - 400 MHz -
高度 - - 0.89 mm
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free