对比图
型号 IRFBE30S IRFBE30STRLPBF IRFBE30SPBF
描述 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKPower Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Intertechnology Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
封装 TO-263-3 - TO-263-3
耗散功率 125W (Tc) - 125000 mW
上升时间 - - 33 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) - 1300pF @25V(Vds)
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) - 125W (Tc)
漏源极电压(Vds) 800 V - -
封装 TO-263-3 - TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free