1N5229B-TAP和JANTX1N749A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5229B-TAP JANTX1N749A-1 1N5229B-G

描述 Diode Zener Single 4.3V 5% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin DO-35 AmmoSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 4.3V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

正向电压 1.1 V 1.1V @200mA -

耗散功率 500 mW 480 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

稳压电流 20 mA - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

容差 - ±5 % -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Cut Tape (CT) Bag -

最小包装 10000 - -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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