JANTXV1N5811和MUR460

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N5811 MUR460 1N5811US

描述 军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMPDiode: rectifying; 600V; 4A; 22A; 60nsDiode Switching 150V 6A 2Pin MELF-B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 Case E - MELF-B

正向电压 0.875 V - 0.875 V

反向恢复时间 30 ns 75 ns 30 ns

正向电流 125 A - 6000 mA

正向电流(Max) 6000 mA - 6 A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

热阻 52 ℃/W - -

正向电压(Max) 875mV @4A - -

高度 - - 3.8 mm

封装 Case E - MELF-B

长度 7.62 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

军工级 Yes - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台