对比图
型号 IPB037N06N3 G IPB041N04NGATMA1
描述 INFINEON IPB037N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 40V 80A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-2 TO-263-3
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 188 W 94W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 80A
上升时间 70 ns 3.8 ns
输入电容(Ciss) 11000pF @30V(Vds) 4500pF @20V(Vds)
下降时间 5 ns 4.8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 188W (Tc) 94W (Tc)
针脚数 3 -
漏源极电阻 3 mΩ -
阈值电压 3 V -
额定功率(Max) 188 W -
封装 TO-263-2 TO-263-3
长度 10.31 mm -
宽度 9.45 mm -
高度 4.57 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -