SI2301-TP和SI2351DS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2301-TP SI2351DS-T1-GE3 SI2351DS-T1-E3

描述 P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V-20V,-3A,P沟道MOSFETTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 1.25 W 1 W 1 W

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

上升时间 - 30 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 880pF @6V(Vds) 250pF @10V(Vds) 250pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W - 2.1 W

下降时间 - 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 1W (Ta), 2.1W (Tc) 1000 mW

通道数 1 - -

漏源极电阻 110 mΩ - -

极性 P-CH - -

漏源击穿电压 20 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.8A - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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