对比图
型号 APT10050JLC IXFR21N100Q IXFR24N100Q3
描述 POWER MOS VI 1000V 19A 0.5ΩISOPLUS N-CH 1000V 18AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Advanced Power Technology IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-247-3 TO-247-3
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 350W (Tc) 500W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) - 18A 18A
上升时间 - 18 ns 24 ns
输入电容(Ciss) - 5900pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds)
下降时间 - 12 ns 14 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 350W (Tc) 500W (Tc)
封装 - TO-247-3 TO-247-3
长度 - - 16.13 mm
宽度 - - 5.21 mm
高度 - - 21.34 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free