APT8020LLLG和IXFK34N80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8020LLLG IXFK34N80 APT8020LFLLG

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) TO-264TO-264AA N-CH 800V 34ATO-264 N-CH 800V 38A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 38.0 A 34.0 A 38.0 A

漏源极电阻 - 240 mΩ -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 694 W 560 W 694W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 38.0 A 34.0 A 38.0 A

上升时间 14 ns 45 ns -

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 560 W -

下降时间 9 ns 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 694000 mW 560W (Tc) 694W (Tc)

输入电容 5.20 nF - 5.20 nF

栅电荷 195 nC - 195 nC

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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