对比图
型号 IXTP42N25P IXTQ42N25P IXTA42N25P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTP42N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 42 A, 250 V, 84 mohm, 10 V, 5.5 VTO-3P N-CH 250V 42AMOSFET N-CH 250V 42A TO-263
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3
耗散功率 300 W 300 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
上升时间 28 ns 28 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)
下降时间 30 ns 30 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.084 Ω 84 mΩ -
极性 N-Channel N-CH -
阈值电压 5.5 V 5.5 V -
连续漏极电流(Ids) 42.0 A 42A -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 250 V -
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3
长度 - 15.8 mm -
宽度 - 4.9 mm -
高度 - 20.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -