IXFH75N10和STW120NF10

对比图

型号 IXFH75N10 STW120NF10 APT10M19BVRG

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 75.0 A 120 A 75.0 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.02 Ω 0.009 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 312 W 370 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 4.50 nF 5.20 nF 6.12 nF

栅电荷 260 nC 233 nC 300 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 110 A 75.0 A

上升时间 60 ns 90 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 312 W -

下降时间 60 ns 68 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 312W (Tc) 370000 mW

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -