MJH6287和MJH6287G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJH6287 MJH6287G MJF6287

描述 达林顿20安培互补硅功率晶体管100伏特, 160瓦 DARLINGTON 20 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 100 VOLTS, 160 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJH6287G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 160 W, -20 A, 18 hFE20A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-93-3 TO-247-3 -

频率 - 4 MHz -

额定电压(DC) -100 V -100 V -

额定电流 -20.0 A -20.0 A -

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 20 A -

针脚数 - 3 -

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel -

耗散功率 160 W 160 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 20A 20A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @10A, 3V 750 @10A, 3V -

最大电流放大倍数(hFE) 18000 18000 -

额定功率(Max) 160 W 160 W -

直流电流增益(hFE) - 18 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 - 4MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 160000 mW -

输入电压 - 5 V -

长度 15.2 mm 15.2 mm -

宽度 4.9 mm 4.9 mm -

高度 12.2 mm 12.2 mm -

封装 SOT-93-3 TO-247-3 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

最小包装 30 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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