对比图
型号 IRFF230 JANTX2N6798 2N6798
描述 TO-39 N-CH 200V 5.5A每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Semelab
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 3
封装 TO-39 TO-39 TO-39
耗散功率 - 0.8 W -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 800mW (Ta), 25W (Tc) 25000 mW
上升时间 - - 42 ns
输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) - 600pF @25V(Vds)
下降时间 - - 30 ns
极性 N-CH - -
连续漏极电流(Ids) 5.5A - -
封装 TO-39 TO-39 TO-39
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -