2N5680和JAN2N3635

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5680 JAN2N3635 JANTX2N3635

描述 PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIERPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 140V 1A 3Pin TO-39 Box

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-39-3

极性 - - PNP

耗散功率 1 W - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 140 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

封装 TO-39 TO-39 TO-39-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 - - Yes

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -

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