对比图
型号 PHX23NQ10T PHX23NQ10T,127
描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-220F N-CH 100V 13A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V -
额定电流 13.0 A -
输入电容 1.19 nF -
栅电荷 22.0 nC -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A
输入电容(Ciss) 1187pF @25V(Vds) 1187pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 27 W -
通道数 - 1
漏源极电阻 - 70 mΩ
极性 - N-CH
耗散功率 - 27 W
漏源击穿电压 - 100 V
上升时间 - 39 ns
下降时间 - 24 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
耗散功率(Max) - 27W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.3 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free