2SB553和BD708

对比图

型号 2SB553 BD708 2SB566AKC

描述 TO-220AB PNP 50V 7A互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) HITACHI (日立)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 75 W -

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 60 V -

集电极最大允许电流 7A 12A -

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @4A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) - 400 -

额定功率(Max) - 75 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) - 75000 mW -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -