对比图
型号 STB270N04 BUK952R3-40E,127 BUK9E2R3-40E,127
描述 N沟道40V - 2.1米欧姆 - 160A - TO- 220 - D- 2PAK - I- 2PAK的STripFET -TM功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFETTO-220AB N-CH 40V 120AI2PAK N-CH 40V 120A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3 TO-262-3
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 293W (Tc) 293W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 120A 120A
输入电容(Ciss) - 13160pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 293 W 293 W
耗散功率(Max) - 293W (Tc) 293W (Tc)
封装 - TO-220-3 TO-262-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free 无铅