对比图
型号 AUIRL1404S IRL1404S IRL1404SPBF
描述 汽车 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 40V 160AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 40.0 V -
额定电流 - 160 A -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W
产品系列 - IRL1404S -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 160A 160 A 160A
上升时间 270 ns 270 ns 270 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)
下降时间 130 ns 130 ns 130 ns
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
额定功率 200 W - 3.8 W
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.004 Ω - 0.004 Ω
阈值电压 1 V - 3 V
漏源击穿电压 40 V - -
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率(Max) - - 3.8 W
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 4.83 mm
高度 4.83 mm - 9.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -