IS61C6416AL-12TI和IS61C6416AL-12TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61C6416AL-12TI IS61C6416AL-12TLI

描述 静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 12ns 5v Async 静态随机存取存储器RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

位数 16 16

存取时间 12 ns 12 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B

存取时间(Max) 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - 44

封装 TSOP-44 TSOP-44

长度 - 18.52 mm

宽度 - 10.29 mm

高度 - 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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