对比图
型号 IXFH26N50P IXFH26N50Q 2SK3702
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 VMOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Sanyo Semiconductor (三洋)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 26.0 A 26.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 230 mΩ 0.2 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 400 W 300 W 20.0 W
阈值电压 - 4.5 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 60 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A 18.0 A
上升时间 25 ns 30 ns -
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds) 775pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 400 W 300 W 2 W
下降时间 20 ns 16 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 400W (Tc) 300W (Tc) -
输入电容 3.60 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
额定功率 - - 20 W
长度 16.26 mm 16.26 mm -
宽度 5.3 mm 5.3 mm -
高度 21.46 mm 21.46 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
重量 - 6.00 g -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -