对比图
型号 IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRRPBF IRF640S
描述 INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 200V 18AN - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 0.15 Ω - 180 mΩ
耗散功率 150 W 150 W 125 W
漏源击穿电压 - - 200 V
上升时间 19 ns 19 ns 27 ns
下降时间 5.5 ns 5.5 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 4 V 2V ~ 4V -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 18A 18A -
输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 150 W 150 W -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) -
额定功率 150 W - -
针脚数 3 - -
输入电容 1160 pF - -
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 9.65 mm 6.22 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -