对比图
型号 IXBF55N300 IXGX320N60B3 IXGK320N60B3
描述 IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFETIGBT PT 600V 500A 1700W 通孔 PLUS247™-3IGBT 模块 GenX3 600V IGBTs
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 ISOPLUS i4-PAK-3 TO-247-3 TO-264-3
耗散功率 357 W 1.7 kW 1.7 kW
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V
额定功率(Max) - 1700 W 1700 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1700000 mW 1700000 mW
长度 - 16.13 mm 19.96 mm
宽度 - 5.21 mm 5.13 mm
高度 - 21.46 mm 26.16 mm
封装 ISOPLUS i4-PAK-3 TO-247-3 TO-264-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)