对比图
型号 IRF3808PBF IRFB3207ZPBF IRF3808
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 80V 140A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定功率 330 W 300 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.007 Ω 0.0041 Ω -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 330 W 300 W -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 5310pF @25V 6920 pF -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 140A 170A 140A
上升时间 140 ns 68 ns -
输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 6920pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) 330 W 300 W -
下降时间 120 ns 68 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 330W (Tc) 300000 mW -
漏源击穿电压 75 V - -
长度 10.67 mm 10.66 mm -
宽度 4.83 mm 4.82 mm -
高度 16.51 mm 9.02 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -