FGS15N40L和FGS15N40LTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGS15N40L FGS15N40LTF CY20AAJ-8F

描述 IGBT的电气特性 Electrical Characteristics of IGBTIGBT Transistors N-Ch/400V/130AIntegrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules: 250V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Mitsubishi (三菱)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

封装 SOT SOP-8 SOT

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 SOT SOP-8 SOT

高度 - 1.55 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 130 A -

耗散功率 - 2000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

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