IS62WV1288BLL-55TI-TR和IS62WV1288BLL-55TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV1288BLL-55TI-TR IS62WV1288BLL-55TLI IS62WV1288BLL-55TLI-TR

描述 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 8,55ns,2.5V 3.6V,32Pin TSOP I (8x20mm)RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 8 8 8

存取时间 55.0 ns 55 ns 55 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 1000000 B

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

工作电压 - 3.3 V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32

长度 - 18.5 mm -

宽度 - 8.1 mm -

高度 - 0.95 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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