IPI65R110CFDXKSA1和IPW60R099CP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI65R110CFDXKSA1 IPW60R099CP IPP60R099CPA

描述 TO-262 N-CH 700V 31.2AINFINEON  IPW60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3

额定功率 277.8 W - -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 277.8W (Tc) 255 W 255 W

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 31.2A 31.0 A 31A

上升时间 11 ns 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 3240pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds)

下降时间 6 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 277.8W (Tc) 255W (Tc) -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 99 mΩ 99 mΩ

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源击穿电压 - - 600 V

额定功率(Max) - 255 W 255 W

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 31.0 A -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 2.80 nF -

栅电荷 - 80.0 nC -

长度 10.2 mm 16.13 mm 10 mm

宽度 4.5 mm 5.21 mm 4.4 mm

高度 9.45 mm 21.1 mm 15.65 mm

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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