对比图
描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-39 TO-39
引脚数 3 -
极性 - NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极最大允许电流 - 0.5A
耗散功率 0.8 W -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 800 mW -
封装 TO-39 TO-39
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag -
材质 Silicon -
RoHS标准 Non-Compliant -