IRF2804STRLPBF和IRF2804STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2804STRLPBF IRF2804STRRPBF IRF2804STRL

描述 INFINEON  IRF2804STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A单 N 沟道 40 V 330 W 160 nC 汽车 功率 Mosfet 表面贴装-D2PAK-3D2PAK N-CH 40V 280A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 7 3 -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 330 W 300 W 330W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 160 A 280A 280A

输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc)

额定功率 330 W 330 W -

针脚数 7 - -

漏源极电阻 1.2 mΩ - -

阈值电压 20 V 4 V -

上升时间 120 ns 120 ns -

额定功率(Max) 300 W - -

下降时间 130 ns 130 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 11.3 mm 9.25 mm -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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