2N5883和BD899A-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5883 BD899A-S 2N4902

描述 Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,Trans Darlington NPN 80V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, METAL, CASE 197-01, MODIFIED TO-3, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - TO-220-3 CASE 197-01

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220-3 CASE 197-01

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 750 @4A, 3V -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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