BUJ303A和NTE2353

对比图

型号 BUJ303A NTE2353 2N6609

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor小信号双极性晶体管t-Pnp Si-Af Po

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NTE Electronics NTE Electronics

分类 晶体管双极性晶体管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 SOT-78-3 TO-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 5.00 A - -

耗散功率 100000 mW 70 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

集电极击穿电压 - 1.50 kV (max) -

击穿电压(集电极-发射极) - 800 V -

集电极最大允许电流 - 10A -

直流电流增益(hFE) - 8 -

长度 10.3 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 SOT-78-3 TO-3 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -