对比图
描述 PDIP NPN+PNP 400V 1.5A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) IGBT & Power Bipolar
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 8 8
封装 DIP-8 DIP-8
极性 NPN+PNP NPN+PNP
耗散功率 - 45 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V
集电极最大允许电流 1.5A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 16 @350mA, 5V 18 @700mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 34 @700mA, 5V
额定功率(Max) 2.6 W 3 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2600 mW 3000 mW
封装 DIP-8 DIP-8
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free