TLV2422QD和TLV2422QDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2422QD TLV2422QDR TLV2422AID

描述 高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSOp Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC T/R高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 100 µA 100 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW - 725 mW

共模抑制比 - - 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 1.80 µV/K

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs

增益频宽积 52 kHz 52 kHz 52 kHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 52 kHz - 0.052 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台