AS4C64M8D1-5BCN和MT46V64M8CY-5B L:J TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C64M8D1-5BCN MT46V64M8CY-5B L:J TR

描述 Ic Sdram 512Mbit 200MHz 60bgaIc Sdram 512Mbit 200MHz 60fbga

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 -

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

时钟频率 200 MHz -

存取时间 700 ps 700 ps

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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