IPB06N03LA和IPB065N03L G

对比图

型号 IPB06N03LA IPB065N03L G

描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorINFINEON  IPB065N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3-2 TO-263-3

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0054 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 83W (Tc) 56 W

阈值电压 - 1 V

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

上升时间 25.0 ns 4.2 ns

输入电容(Ciss) 2653pF @15V(Vds) 2400pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 83 W 56 W

下降时间 - 3.4 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 56W (Tc)

额定电压(DC) 25.0 V -

额定电流 50.0 A -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A -

长度 - 10 mm

宽度 - 9.25 mm

高度 - 4.4 mm

封装 TO-263-3-2 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17