对比图
型号 IRF830STRL IRF830STRLPBF SIHF830S-GE3
描述 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAKMOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAKSIHF830S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 4.5A, 500V, 3Pin D2PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK
耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) 74W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -
输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 74W (Tc) -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 -