对比图
型号 BUK9606-40B,118 PHB101NQ04T
描述 N沟道 VDS=40V VGS=±15V ID=75A P=203WN沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
封装 TO-263-3 D2PAK
安装方式 Surface Mount -
引脚数 3 -
极性 - N-CH
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 75A
耗散功率 203W (Tc) -
输入电容 3967 pF -
上升时间 145 ns -
输入电容(Ciss) 4901pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 203 W -
下降时间 92 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 203W (Tc) -
封装 TO-263-3 D2PAK
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -