IRF7504TR和IRF9953TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7504TR IRF9953TRPBF IRF9953

描述 Micro P-CH 20V 1.7AHEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。SOIC P-CH 30V 2.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 TSSOP-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -2.30 A

极性 P-CH P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 2.3A 2.30 A

上升时间 - 14 ns 14.0 ns

输入电容(Ciss) 240pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 2 W 2 W

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.165 Ω -

耗散功率 - 2 W -

阈值电压 - 1 V -

输入电容 - 190 pF -

下降时间 - 6.9 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2 W -

封装 TSSOP-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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