IRFS630B和IRFS640B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS630B IRFS640B BUK794R1-40BT

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220 TO-220

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 9A 18A -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 75.0 A

封装 TO-220 TO-220 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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