BD136-10和BUV28

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD136-10 BUV28 TIP142T

描述 PNP Epitaxial Silicon TransistorNPN开关晶体管 NPN SWITCHING TRANSISTORNPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220 TO-220-3

额定功率 - 65 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 85000 mW 90000 mW

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 10.0 A

极性 - - NPN

耗散功率 - - 90 W

集电极击穿电压 - - 100 V

击穿电压(集电极-发射极) - - 100 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 500

额定功率(Max) - - 80 W

直流电流增益(hFE) - - 1000

封装 - TO-220 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 9.15 mm

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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