对比图
型号 BF1212 BF1212,215 BF1212R,215
描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETsTrans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin(3+Tab) SOT-143B T/R射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - 4 4
封装 SOT-143 TO-253-4 SOT-143
频率 - 400 MHz 400 MHz
额定电流 30.0 mA 30 mA 30 mA
耗散功率 - 180 mW 180 mW
漏源极电压(Vds) 6.00 V 6.00 V 6 V
增益 - 30 dB 30 dB
测试电流 - 12 mA 12 mA
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 180 mW 180 mW
额定电压 - 6 V 6 V
极性 - N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 30.0 mA 30.0 mA -
额定电压(DC) 6.00 V - -
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.4 mm
高度 - - 1 mm
封装 SOT-143 TO-253-4 SOT-143
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free