对比图
型号 IPD088N06N3 G IPD144N06NGBTMA1
描述 INFINEON IPD088N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 60V 50A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.0071 Ω -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 71 W 136W (Tc)
阈值电压 3 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 40 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @30V(Vds) 1900pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 71 W 136 W
下降时间 5 ns 11 ns
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 71W (Tc) 136W (Tc)
连续漏极电流(Ids) - 50A
长度 6.5 mm -
宽度 6.22 mm -
高度 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -