W971GG6KB-25和W971GG6KB25I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W971GG6KB-25 W971GG6KB25I IS43DR16640C-25DBL

描述 1-Gbit(64M x 16bit),工作电压:1.8V±0.1VIC SDRAM 1GBIT 400MHz 84BGA1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga (8mmx12.5mm) Rohs

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 TFBGA-84 TFBGA-84 BGA-84

供电电流 120 mA 120 mA 200 mA

针脚数 - - 84

时钟频率 - - 400 MHz

位数 16 - 16

存取时间 - - 400 ns

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 1.7V ~ 1.9V - -

封装 TFBGA-84 TFBGA-84 BGA-84

高度 0.8 mm 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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