GBL02-E3/51和GBL02-E3/45

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBL02-E3/51 GBL02-E3/45 GBL02

描述 Diode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4Pin Case GBL BulkDiode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4Pin Case GBL Tube200V 3A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fagor Electronica (法格)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 4 4 -

封装 SIP-4 SIP-4 -

正向电压 1.1V @4A 1.1V @4A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A 150 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

最大反向电压(Vrrm) - - 200V

正向电流 - - 3 A

长度 20.9 mm 20.9 mm -

宽度 3.56 mm 3.56 mm -

高度 10.7 mm 10.7 mm -

封装 SIP-4 SIP-4 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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