对比图
型号 KST06MTF MMBTA06LT1G MMBT6429LT1G
描述 NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild SemiconductorNPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz 100 MHz 700 MHz
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 45.0 V
额定电流 500 mA 500 mA 200 mA
额定功率 - 225 mW -
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.35 W 225 mW 225 mW
增益频宽积 - 100 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 45 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 500
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - 100 500
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
无卤素状态 - - Halogen Free
长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.97 mm 0.94 mm 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -