CM150E3U-24H和FD150R12RT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CM150E3U-24H FD150R12RT4 FD200R12KE3

描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 890000mW 5PinINFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode

数据手册 ---

制造商 Powerex Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis Screw Screw

引脚数 5 5 5

封装 Module - 62MM-1

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 890 W 790 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定功率 - 790 W 1040 W

针脚数 - 5 -

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -

输入电容(Cies) - 9.3nF @25V -

额定功率(Max) - 790 W -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 Module - 62MM-1

长度 - - 106.4 mm

宽度 - - 61.4 mm

高度 - - 30.9 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 125℃

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