对比图



型号 CM150E3U-24H FD150R12RT4 FD200R12KE3
描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 890000mW 5PinINFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
数据手册 ---
制造商 Powerex Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Chassis Screw Screw
引脚数 5 5 5
封装 Module - 62MM-1
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 890 W 790 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
额定功率 - 790 W 1040 W
针脚数 - 5 -
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -
输入电容(Cies) - 9.3nF @25V -
额定功率(Max) - 790 W -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
封装 Module - 62MM-1
长度 - - 106.4 mm
宽度 - - 61.4 mm
高度 - - 30.9 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 125℃